DMT6005LPS-13 与 BSC042NE7NS3 G 区别
| 型号 | DMT6005LPS-13 | BSC042NE7NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMT6005LPS-13 | A-BSC042NE7NS3 G |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 125W |
| 宽度 | - | 5.15mm |
| 上升时间 | - | 17ns |
| 漏源极电压Vds | - | 75V |
| Qg-栅极电荷 | - | 69nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 44S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 34ns |
| 封装/外壳 | DFN-8(5.1x6) | PG-TDSON-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 100A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 导通电阻Rds(On) | - | 3.7mΩ |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
DFN-8(5.1x6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSC042NE7NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
75V 100A 3.7mΩ 20V 125W -55°C~150°C PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
